Tsinghua Unigroup рассчитывает освоить выпуск 18-нанометровой памяти DRAM и 64-слойной памяти 3D NAND

Компания Tsinghua Unigroup, в январе сообщившая о намерении вложить 30 млрд долларов в постройку завода по выпуску микросхем памяти, планирует освоить выпуск 18-нанометровой памяти DRAM.

Китайский государственно-частный производитель ведет переговоры с ведущими производителями этой продукции, включая Micron Technology и SK Hynix, о возможном технологическом сотрудничестве.

Как известно, Tsinghua Unigroup рассчитывает в ближайшие годы войти в тройку крупнейших производителей полупроводниковой продукции. В компании подтвердили, что до конца года должны быть готовы образцы 32-слойной флэш-памяти 3D NAND. Кроме того, запланирована разработка 64-слойной флэш-памяти 3D NAND.

Источник: CDR info