Флэш заменят на быструю память

На днях на рынке появились первые чипы магниторезистивной памяти (MRAM). Она по ряду показателей превосходит другие виды памяти. Ожидается, что MRAM будет использоваться преимущественно в мобильных устройствах.

Для хранения информации новые 4-мегабитные модули используют магнитное поле, а не электрические заряды.

Распространенные сегодня чипы памяти работают быстро, но не сохраняют данные при отключении питания. Флэш-память хранит информацию и без питания, но работает медленно. MRAM обладает преимуществами обеих технологий, но, по словам Николь Д'Онофрио (Nicole d'Onofrio), аналитика независимого агентства Current Analysis, пока не достигла теоретически максимальной скорости чтения и записи данных.

На рынке MRAM была представлена малоизвестной компанией Freescale. В ближайшие 18 месяцев Freescale рассчитывает увидеть модули MRAM в мобильных устройствах, бытовой технике, машинах и проч.