SanDisk займется развитием технологии трехмерной флеш-памяти

В мире высоких технологий переход от двухмерных решений к трехмерным — довольно распространенной явление, не стала исключением и технология флеш-накопителей. Около полутора лет назад мы впервые сообщили на MobileDevice.ru о создании принципов трехмерной флеш-памяти; теперь же компания SanDisk как лидер сектора решила подойти к данному вопросу с позиции производства коммерческих продуктов. Интересную параллель провел Эли Харари (Eli Harari), президент компании: «Когда на Манхеттене закончилось место, начали строить небоскребы. Мы поступим так же».

Сегодняшние двухмерные технологии записывают данные при помощи электрического тока, поэтому теоретическим пределом флеш-накопителей будет использование всего лишь одного электрона в ячейке. Ячейки же пока располагаются исключительно на плоских платформах. Таким образом, если пометить платформы в несколько уровней, то можно добиться увеличения не только емкости накопителя, но и его пропускной способности. На сегодняшний день самый прогрессивный прототип SanDisk выполнен в 8 слоях, что обеспечивает максимум емкости в 256 гигабайт. К сожалению, о выходе подобных накопителей на рынок пока не сообщается ничего.