Samsung приступает к массовому производству памяти PRAM
Компания Samsung Electronics сделала официальное заявление о том, что производство чипов памяти PRAM (Phase change RAM) начнется уже в июне 2009 года. Мы уже сообщали о данной технологии ранее на , однако напомним, что чипы памяти с фазовым изменением относятся к энергонезависимому типу компьютерных накопителей. В основе технологии лежит уникальное поведение халькогенидного стекла, способного переключаться между двумя состояниями, кристаллическим и аморфным, при приложении тепла.
Проще говоря, технология PRAM сочетает в себе преимущества существующих технологий: она такая же быстрая, как память NOR, но, вместе с тем, она способна сохранять данные при отключенном питании, как память NAND. Кроме того, как утверждают разработчики, память PRAM работает в 30 раз быстрее существующих на сегодняшний день гибридных решений. Первые серийно производимые чипы будут иметь объем всего в 512 мегабайт.
