Компания Toshiba Japan объявила о создании первого рабочего прототипа энергонезависимой памяти FeRAM с плотностью в 128 мегабит, способной осуществлять чтение и запись на скорости в 1,6 гигабит в секунду. Это достижение оставляет далеко позади предыдущий рекорд, поставленный тем же производителем; тогда плотность составляла 32 мегабита, а скорость работы с накопителем достигала отметки в 200 мегабит в секунду.
Однако главным достоинством новой разработки является не рекорд в аспекте производительности, а факт энергонезависимости модуля, кроме того, память нового типа обладает гораздо лучшими механическими показателями по сравнению с флеш-технологиями, иными словами, чипы нового типа являются более прочными. В перспективе данная разработка сможет использоваться в широком спектре устройств с SSD-накопителями, в том числе мобильных телефонов и портативных компьютеров. О том, когда начнется внедрение новой технологии, пока не сообщается ничего.
