Технология (магниторезистивная RAM) является одним из самых перспективных сценариев дальнейшего развития модулей оперативной памяти, которая позволит заметно повысить производительность компьютеров. Теперь же стало известно, что команда немецких ученых нашла способ еще сильнее усовершенствовать данную технологию, оставив текущие разработки компании IBM со товарищи далеко позади.
Новая технология принципиально изменяет управление крутящим моментом, переключающим в потоке данных биты в положения «0» и «1»; теперь смена битов может происходить практически мгновенно, в то время как существующие решения требовали для этого какое-то время. Конечно, прежде чем новая технология будет окончательно готовой, инженерам придется проделать еще немало работы, в том числе и потому, что электрическая плотность немецкого модуля пока слишком высока, и это не позволяет применять в схемах те транзисторы, которые сейчас используются в памяти MRAM. Однако уже сейчас можно с уверенностью утверждать, что данная проблема будет преодолена.
