|
Японский институт NIAIST увеличивает время жизни флеш-памяти NANDКак лента Ключом к данной технологии является использование полевых транзисторов на сегнетоэлектрических затворах (или FeFET, см. схему) в качестве ячеек памяти, которые не только значительно увеличивают работу NAND-модулей, но обеспечивают число циклов записи/удаления до показателя в 100 миллионов. Кроме того, FeFET-память требует значительно меньших затрат электроэнергии по сравнению с NAND — 6 В против 20 В, которые требуются для существующей технологии. К сожалению, ничего не сообщается о том, когда новая технология начнет использоваться в потребительских товарах, но сомневаться в том, что это произойдет, не приходится. Смотри так же другие новости из Мобильные новости, новинки, смартфоны
|
Поиск по сайту |
Filebox.ru каталог архив программного обеспечения для Windows, работает с 2003 года. |
|