Японский институт NIAIST увеличивает время жизни флеш-памяти NAND
Как лента уже сообщала ранее, японский Национальный институт передовых промышленных исследований и технологий (NIAIST) является довольно плодовитым исследовательским центром, который теперь в сотрудничестве с университетом Токио совершил прорыв в технологии флеш-памяти NAND. Теперь устройства, изготовленные по этой технологии, будут жить значительно дольше.
Ключом к данной технологии является использование полевых транзисторов на сегнетоэлектрических затворах (или FeFET, см. схему) в качестве ячеек памяти, которые не только значительно увеличивают работу NAND-модулей, но обеспечивают число циклов записи/удаления до показателя в 100 миллионов. Кроме того, FeFET-память требует значительно меньших затрат электроэнергии по сравнению с NAND— 6 В против 20 В, которые требуются для существующей технологии. К сожалению, ничего не сообщается о том, когда новая технология начнет использоваться в потребительских товарах, но сомневаться в том, что это произойдет, не приходится.
