Компания Samsung Electronics представила восьмигигабитный чип DRAM-памяти LPDDR4, предназначенный для смартфонов и планшетов. Он создан с использованием 20-нанометрового процесса и имеет самый высокий показатель плотности хранения данных среди чипов памяти на сегодняшний день. В одном корпусе можно собрать четыре таких чипа - в результате получится единый модуль оперативной памяти емкостью 4 Гб - до таких высот смартфоны еще не дотягивались.
Память Samsung 8 Гбит LPDDR4 использует новый интерфейс ввода/вывода LVSTL (Low Voltage Swing Terminated Logic), способный обеспечить скорость передачи данных 3200 Мбит/с (в два раза лучше показателей LPDDR3 DRAM-памяти предыдущего поколения класса 20 нм). Кроме того, новый интерфейс потребляет на 40 % меньше энергии при рабочем напряжении 1.1 В.
Новый чип позволит Samsung выпускать продукты премиального сегмента: смартфоны с большими UHD-экранами, планшеты и ультратонкие ноутбуки, имеющие разрешение экрана вчетверо выше предыдущих моделей.
