TSMC приступит к производству памяти eMRAM и eRRAM в 2018 и 2019 годах соответственно

Как сообщает издание DigiTimes со ссылкой на Economic Daily News, компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) планирует в обозримом будущем приступить к производству энергонезависимой памяти нового поколения.

Источник пишет, что в 2018 году TSMC начнет рисковое производство модулей энергонезависимой памяти eMRAM (embedded Magnetoresistive Random Access Memory, встроенная магниторезистивная оперативная память), а годом позже приступит к выпуску eRRAM (embedded Resistive Random Access Memory, встроенная резистивная оперативная память) с использованием 22-нанометрового технологического процесса. В качестве источника данной новости называется технический директор TSMC Джэк Сан (Jack Sun).

Высокоскоростные энергоэффективные модули памяти eMRAM и eRRAM планируют использовать в устройствах Интернета вещей, мобильных устройствах, а также в самоуправляемых автомобилях.

В данный момент лидером в данном сегменте является Samsung Electronics, которая уже занялась производством энергонезависимой памяти MRAM. Первым клиентом Samsung, которая заказала решение на базе новой технологии, стала компания NXP.