Команда ученых-нанохимиков из Стэнфордского Университета с успехом продемонстрировала, что углеродные наноленты можно использовать для изготовления транзисторов, которые впоследствии могут составить интегральные платы, работающие с более высокой скоростью по сравнению с существующими аналогами за счет менее интенсивного нагревания. Графеновые наноленты являются вполне подходящим материалом для изготовления полевых транзисторов, являющихся стандартными узлами всех микросхем. Ширина нанолент, изготовленных учеными Стэнфорда под руководством Хонгджи Дая (Hongjie Dai) составляет менее десяти нанометров; в режиме транзистора они с успехом могут работать в качестве транзистора даже при комнатной температуре, в то время как предшествующие разработки функционировали только на низких температурах в силу своей большей толщины.
Все цифровые устройства в своем развитии имеют тенденцию к миниатюризации, соответственно, должен сокращаться размер и транзисторов, обязанных полноценно работать при комнатной температуре. Кремний имеет, к сожалению, минимально возможный размер узла, при котором дальнейшая миниатюризация становится невозможной. Посему ученым приходится искать новые материалы. Конечно, серийное производство графеновых нанолент нового типа едва ли сможет начаться в ближайшем времени, однако уже сейчас активно проводятся исследования их свойств, а также испытания.
