Еще до того, как Вейксяо Хуанг (Weixiao Huang) получил докторскую степень в Политехническом институте Rensselaer, созданный им транзистор привлек внимание ряда крупнейших американских и японских автопроизводителей. Изобретение этого специалиста сможет заменить один из самых необходимых технологических элементов – кремниевый транзистор, который можно использовать при высокой температуре или напряжении.
Транзистор нового типа изготовлен из нитрида галлия (GaN) , имеющего уникальные свойства. Транзистор на нитриде галлия смог бы уменьшить расход энергии и увеличить КПД электронных систем во всех сферах – от автомобильных моторов до домашней аппаратуры. Он способен работать в крайне горячих, агрессивных и высокомощных средах, в том числе и в условиях радиации. «Будучи весьма гибкими, такие устройства открыли бы двери в проектирование таких областей электроники, которые ранее были недоступными в силу ограничений, накладываемых менее толерантными кремниевыми транзисторами», – заявил разработчик.
