Недавно корпорация Toshiba анонсировала разработку новой технологии – двойного туннельного слоя, которая будет применяться при изготовлении флэш-памяти поколения 10 нм. Основа данной технологии открывает дорогу устройствам памяти с емкостями от 100 гигабит. Разработка технологии была анонсирована на Международном семинаре по электронным устройствам, который проходил в г. Вашингтоне, США. В основе технологии лежит туннельный слой, контролирующий вход и выход электрона в кремний-оксид-нитрид-оксидном полупроводнике (SONOS – Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor), – структура, позволяющая удерживать электроны в нитридном слое на затворе.
Новая структура, использующая эффект изменения сопротивления при изменении напряжения на затворе, состоит из 1,2-нм кремниевого нанокристалла между пленками оксида толщиной в 1 нм и способна выполнять долговременное хранение данных, обеспечивает высокую скорость записи и удаления данных. Несмотря на очевидный успех, фирма Toshiba продолжает разработку ряда продвинутых технологий памяти, включая трехмерные структуры, и уверена, что скорейшая реализация технологий поколения 10-нм узлов с двойным туннельным слоем – это значительный шаг вперед для будущих устройств.
